FeTRAM Teknologi RAM Terbaru Hemat Daya Kombinasi Polimer & Nanowire Silikon

FeTRAM Teknologi RAM Terbaru Hemat Daya Kombinasi Polimer & Nanowire Silikon

Sebuah teknologi RAM (Random Access Memory) baru saat ini tengah dikembangkan oleh para peneliti. Dengan kombinasi tersebut, konsumsi energi RAM menjadi lebih hemat daya namun memiliki kecepatan yang jauh lebih baik.

            FeTRAM, ferroelectric transistor random acces memory, merupakan hasil kombinasi antara nanowire dengan polimer. Menurut pembuatnya di Birck Nanotechnology Center (BNC) di Purdue University, berkat kombinasi tersebut, FetRAM memiliki performa tersendiri dibandingkan dengan RAM tradisional. Ferroelektrik adalah material yang mempunyai kemampuan untuk berganti polaritas sesuai dengan medan yang berada di dekatnya. Sifat ini kemudian dimanfaatkan oleh para peneliti di BNC untuk membentuknya menjadi transistor ferroelektrik yang saat ini masih belum ada di pasaran.

Teknologi FeTRAM (Ferroelektrik Transistor Memory) ini mengkombinasikan kawat
nano silikon dengan polimer “feroelektrik”, bahan yang mengaktifkan polaritas ketika medan
listrik dialirkan, memungkinkan tipe baru dari transistor feroelektrik.Menurut mahasiswa doktoral Saptarshi Das, yang bekerja sama dengan JoergAppenzeller, seorang profesor teknik elektro dan komputer dan direktur ilmiah nanoelektrik di Pusat Nanoteknologi Purdue Birck, teknologi FeTRAM ini masih sangat baru dan masihberada dalam proses pengembangan yang lebih lanjut. Transistor feroelektrik yang mengubahpolaritas dibaca sebagai 0 atau 1, operasi yang diperlukan bagi sirkuit digital untuk menyimpan informasi dalam kode biner yang terdiri dari urutan satu dan nol.

Teknologi FeTRAM ini tengah dikembangkan dan sudah melalui berbagai eksperimenserta sudah ditunjukkan cara kerjanya dalam sebuah sirkuit, walaupun masih terbatas. Teknologi FeTRAM memiliki penyimpanan non-volatile, artinya ini tetap berada didalam memori meski komputer sudah dimatikan, teknologi ini sama halnya dengan yang dipakai pada FeRAM (Ferrolektrik Random Access Memory). FeTRAM bisa berpotensi menggunakan energi 99 persen lebih rendah dari memori flash, chip penyimpanan komputernon-volatile. Namun, pada kenyataannya perangkat FeTRAM yang ada sekarang ini sekarang masihmengkonsumsi daya lebih banyak karena skalanya masih kurang tepat, hal ini perludimaklumi karena teknologi ini masih dalam proses pengembangan. Untuk teknologiFeTRAM generasi masa depan, salah satu tujuan utamanya adalah mengurangi disipasi daya listriknya. Mungkin juga akan jauh lebih cepat daripada bentuk lain memori komputer yang disebut SRAM. Teknologi FeTRAM memenuhi tiga fungsi dasar dari memori komputer, yakni  :

1.Menulis informasi

2.Membaca informasi

3.Tahan dalam jangka waktu yang panjang.

Dalam hal jangka waktu pengunaan FeTRAM memiliki ketahanan yang lebih baik daripada FeRAM, yakni sekitar 10-20 tahun, hal ini berbeda dengan FeRAM yang hanyasekitar 10 tahun. Salah satu fokus dalam pengembangan tekologi ini adalah pengefisiensian daya pada penggunaan memory ini, hal ini harus diperhatikan karena penggunaan daya listrik rendah dapat menekan panas pada laptop (menurunkan suhu laptop). Dan ini perlu diskala,artinya bisa mengemas banyak perangkat ke area yang sangat kecil (efisiensi ukuran).Beberapa hal itulah yang mendasari penggunaan kawat nano silikon bersama dengan polimerfero elektrik.Teknologi baru ini juga kompatibel dengan proses industri manufaktur untuk semikonduktor oksida logam komplementer, atau CMOS, yang digunakan untuk memproduksi chip komputer. Ini memiliki potensi untuk menggantikan sistem memori konvensional. FeTRAM mirip dengan memori Feroelektrik Random Access Memory(FeRAM), yang sedang digunakan secara komersial namun pasar semikonduktornya masih relatif kecil secara keseluruhan. Keduanya menggunakan bahan feroelektrik untuk menyimpan informasi secara non-volatile, namun tidak seperti FeRAM, teknologi baruFeTRAM ini memungkinkan pembacaan yang tidak destruktif, artinya informasi dapat dibaca tanpa menghilangkannya. Pembacaan non-destruktif ini dimungkinkan dengan menyimpan informasi menggunakan transistor feroelektrik, bukan kapasitor, yang digunakan dalam FeRAM konvensional.